这两天不少网友都在热议工信部浮现的新款国产氟化氩光刻机光刻机的音信，一期间，多样对于国产光刻机大冲破言论满天飞，甚而还有东说念主一看到“套刻≤8nm”就觉得这是8nm光刻机，亦然令东说念主啼笑齐非。
其实，早在6月20日，工信部就曾发布了《首台（套）紧要时代装备履行利用率领目次（2024年版）》公示，集成电路坐褥确立一栏当中，就有公示一款氟化氪光刻机和一款氟化氩光刻机。随后在9月9日，工信部又将该见告重发了一遍：
氟化氪光刻机其实便是旧式的248nm光源的KrF光刻机，永诀率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机（也被成为DUV光刻机），但浮现的这款已经是干式的DUV光刻机，而非更先进的浸没式DUV光刻机（也被称为ArFi光刻机）。
从官方浮现的参数来看，该DUV光刻机永诀率为≤65nm，套刻精度≤8nm。天然比拟之前上微的SSA600光刻机有所晋升（永诀率为90nm），然则仍并未达到不错坐褥28nm芯片的进程，更够不上制造什么8nm、7nm芯片的进程。许多网友径直把套刻精度跟光刻制造制程节点水平给搞混了。
光刻精度主要看的是光刻机的永诀率，65nm的永诀率，那么足交 twitter单次曝光能够达到的工艺制程节点粗略就在65nm傍边。
套刻精度则指的是每一层光刻层之间的瞄准精度。大众皆知，芯片的制造进程，内容上是将许多层的光刻图案一层一层的完结，并堆堆叠而成。一层图案光刻完成后，需要再在上头不时进行下一层图案的光刻，而两层之间需要精确瞄准，这个瞄准的精度便是套刻精度，并不是指能够制造的芯片的工艺制程节点。
那么，这个65nm的光刻永诀率、套刻精度≤8nm能够作念到若干纳米制程呢？又极度于当今ASML什么水平的光刻机呢？不错对比看底下的ASML光刻机的参数：